多孔氮化硅TEM載網(wǎng)是一種專(zhuān)為透射電子顯微鏡(TEM)設(shè)計(jì)的高性能載網(wǎng)，它以高純單晶硅為基底，覆蓋一層超薄氮化硅(厚度10-50nm)作為支撐膜，能夠?qū)崿F(xiàn)原子級(jí)分辨率的成像。

　　多孔氮化硅TEM載網(wǎng)的優(yōu)勢(shì)：

　　1、原子級(jí)分辨率：厚度均勻，電子束穿透率高，成像背景噪音較低，可清晰呈現(xiàn)原子級(jí)結(jié)構(gòu)，尤其適合球差電鏡的高分辨表征。

　　2、耐高溫與耐腐蝕：氮化硅膜可耐受1000℃高溫及酸性環(huán)境，適用于高溫樣品制備或酸性條件下的TEM觀察，而傳統(tǒng)銅網(wǎng)在此類(lèi)條件下易變形或腐蝕。

　　3、無(wú)碳元素干擾：不含碳元素，避免了傳統(tǒng)碳膜載網(wǎng)在電子束輻照下積碳的問(wèn)題，確保長(zhǎng)時(shí)間觀察或高劑量輻照時(shí)成像質(zhì)量穩(wěn)定。

　　4、良好的電子束穿透性：超薄的氮化硅膜不含碳元素，能有效避免積碳，減少電子束散射，提供清晰的背景，尤其適合球差原子分辨表征，可獲得高質(zhì)量的 TEM 圖像。

　　制備方法：

　　通常采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)結(jié)合光刻、刻蝕等微納加工技術(shù)制備。如先通過(guò) LPCVD 在硅片基底上沉積氮化硅薄膜，然后利用光刻技術(shù)在薄膜上形成圖案，再通過(guò)反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等方法刻出多孔結(jié)構(gòu)，最后去除基底硅，得到多孔氮化硅 TEM 載網(wǎng)。

　　使用時(shí)避免在潮濕或腐蝕性環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間暴露，以防氮化硅膜性能下降。